کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943987 1450372 2013 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrically active interface defects in the In0.53Ga0.47As MOS system
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrically active interface defects in the In0.53Ga0.47As MOS system
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 182-188
نویسندگان
, , , , , , , , , ,