کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943987 | 1450372 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrically active interface defects in the In0.53Ga0.47As MOS system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 182-188
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 182-188
نویسندگان
V. Djara, T.P. O'Regan, K. Cherkaoui, M. Schmidt, S. Monaghan, Ã. O'Connor, I.M. Povey, D. O'Connell, M.E. Pemble, P.K. Hurley,