کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944025 1450372 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 257-261
نویسندگان
, , , , , , , , ,