کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944082 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved programming and erasing speeds of poly-Si flash memory device by HfO2/Si3N4 bandgap-engineered trapping layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- HfO2/Si3N4 bandgap-engineered trapping layer is applied to nanowire flash device for the first time.
- P/E speeds can be significantly improved by bandgap-engineered trapping layer.
- The improvement is more obvious on nanowire channel flash device.
- Good retention and endurance characteristics are also demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 17-20
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 17-20
نویسندگان
Chun-Yuan Chen, Kuei-Shu Chang-Liao, Hao-Wei Ho, Tien-Ko Wang,