کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944089 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Statistical characterization of vertical poly-Si channel using charge pumping technique for 3D flash memory optimization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- We analyzed the charge pumping signals in ultra-scaled 3D vertical devices.
- Statistical analysis has been used to characteristic the variability of poly-Si channel.
- The quality of bottom and top junctions with different process has been presented.
- Different poly-Si formations and hole sizes have been investigated.
- Different annealing conditions have been carried out for optimization of the channel of 3D flash memory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 39-42
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 39-42
نویسندگان
Baojun Tang, M. Toledano-Luque, W.D. Zhang, G. Van den bosch, R. Degraeve, J.F. Zhang, J. Van Houdt,