کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944157 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The unexpected effects of crystallization on Ta2O5 as studied by HRTEM and C-AFM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- We examine degradation of Ta2O5 high-k oxide.
- Effect of recrystallization on the electrical properties of Ta2O5 is investigated.
- Poly-crystalline Ta2O5 shows different conductive domains.
- Conductive atomic force microscopy (C-AFM) and TEM are used for characterization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 318-321
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 318-321
نویسندگان
Umberto Celano, Ravi Chandra Chintala, Christoph Adelmann, Olivier Richard, Wilfried Vandervorst,