کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944172 | 1450372 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of preferential localized degradation and breakdown of HfO2/SiOx dielectric stacks at grain boundary sites of polycrystalline HfO2 dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 364-369
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 364-369
نویسندگان
Kalya Shubhakar, Kin Leong Pey, Nagarajan Raghavan, Sunil Singh Kushvaha, Michel Bosman, Zhongrui Wang, Sean Joseph O'Shea,