کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7117877 | 1461369 | 2018 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recent advances in 4H-SiC epitaxy for high-voltage power devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reports recent advances in high-quality 4H-SiC epitaxial growth. The modern 4H-SiC epitaxial reactors, techniques to improve growth rates and large-diameter uniformity and reduce defect densities are discussed. A single-wafer vertical-type epitaxial reactor is newly developed and employed to grow 150Â mm-diameter 4H-SiC epilayers. Using the reactor, high-speed wafer rotation is confirmed effective, both for enhancing growth rates and improving thickness and doping uniformities. Current levels of reducing particle-induced defects, in-grown stacking faults and basal plane dislocations and controlling carrier lifetimes are also reviewed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 78, May 2018, Pages 2-12
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 78, May 2018, Pages 2-12
نویسندگان
Hidekazu Tsuchida, Isaho Kamata, Tetsuya Miyazawa, Masahiko Ito, Xuan Zhang, Masahiro Nagano,