کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7118576 | 1461400 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of (2¯01) β-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on Ga2O3 deposition on c-plane sapphire substrates by hydride vapour phase epitaxy using metallic gallium, hydrogen chloride and dry air as precursors. High deposition rate up to 250 µm/h has been realized. As confirmed by X-ray diffraction and micro-Raman measurements, produced films consisted of pure monoclinic β-Ga2O3 phase and were (â201) oriented. The full width at half maximum (FWHM) for (â201) rocking curve was decreasing with increasing GaCl flow. The narrowest FWHM of 20 arcmin has been detected.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 47, 1 June 2016, Pages 16-19
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 47, 1 June 2016, Pages 16-19
نویسندگان
V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, I.P. Nikitina, A.N. Smirnov, A.V. Chikiryaka, S.S. Sharofidinov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov,