کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150393 | 1462190 | 2018 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Insight into carrier lifetime impact on band-modulation devices
ترجمه فارسی عنوان
بینش طول عمر حامل بر دستگاه های باند مدولاسیون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
A systematic study to model and characterize the band-modulation Z2-FET device is developed bringing light to the relevance of the carrier lifetime influence. This work provides guidelines to optimize the Z2-FETs for sharp switching, ESD protection, and 1T-DRAM applications. Lower carrier lifetime in the Z2-FET helps in attaining the sharp switch. We provide new insights into the correlation between generation/recombination, diffusion, electrostatic barriers and carrier lifetime.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 143, May 2018, Pages 41-48
Journal: Solid-State Electronics - Volume 143, May 2018, Pages 41-48
نویسندگان
Mukta Singh Parihar, Kyung Hwa Lee, Hyung Jin Park, Joris Lacord, Sébastien Martinie, Jean-Charles Barbé, Yue Xu, Hassan El Dirani, Yuan Taur, Sorin Cristoloveanu, Maryline Bawedin,