کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151200 | 1462265 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual strained channel CMOS in FDSOI architecture: New insights on the device performance
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Dual strained channel CMOS in FDSOI architecture: New insights on the device performance Dual strained channel CMOS in FDSOI architecture: New insights on the device performance](/preview/png/7151200.png)
چکیده انگلیسی
We report an original Dual Strained Channel On Insulator (DSCOI) Fully Depleted CMOS architecture by co-integrating nFETs on sSOI and pFETs on Si/c-SiGe/(s)SOI with a TiN/HfO2 gate stack (EOT = 1.15 nm) and down to 40 nm gate lengths. We demonstrate for the first time large gains for transconductance (up to +125%) and mobility (+100%) even for short channel pFETs. This enables us to improve the ON(OFF) pFETs trade-off (ION + 23% for a given IOFF = 100 nA/μm), and thus to obtain similar ION for n and pFETs (â¼650 μA/μm at VDD = 1 V). Meanwhile, thanks to a channel material/strain engineering, the threshold voltages are adjusted (Vth â¼Â ±0.2 V) for high performance (HP) CMOS with a single mid-gap metal gate. Extracted interface trap densities (NT = 5-8.5 Ã 1017 cmâ3 eVâ1) using low frequency noise indicate the excellent integrity of the TiN/HfO2 stack when compared to SOI reference samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 9-15
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 9-15
نویسندگان
C. Le Royer, M. Cassé, D. Cooper, F. Andrieu, O. Weber, L. Brevard, P. Perreau, J.-F. Damlencourt, S. Baudot, B. Prévitali, C. Tabone, F. Allain, P. Scheiblin, C. Rauer, C. Figuet, C. Aulnette, N. Daval, B.-Y. Nguyen, M. Valenza,