کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728450 | 1461419 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy gap tuning and optical properties of γ-Si3N4 doped with Fe, Co and Ni
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The significantly decreased energy gaps, enhanced absorption coefficient, and improved electron transition of γ-Si3N4 caused by doped Ni atoms are reported. Three transition elements (Fe, Co, and Ni) are used as candidate dopants. Based on density functional theory calculations, nine doped structures are appreciated with formation and binding energies. Each dopant effect on the optical properties is explored at four concentrations. The results provide a basis for future investigations of tailoring and developing new high-performance doped γ-Si3N4.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 27, November 2014, Pages 474–481
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 27, November 2014, Pages 474–481
نویسندگان
Yan-Xiao Han, Chuan-Lu Yang, Ke-La Xiao, Li-Zhi Wang, Mei-Shan Wang, Xiao-Guang Ma,