کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728622 | 1461411 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An analytical model for optimizing the performance of graphene based silicon Schottky barrier solar cells
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل تحلیلی برای بهینه سازی عملکرد سلول های خورشیدی مانع سیلیکون شاتکی از گرافین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مدل تحلیلی، بازده تبدیل، گرافن، سلول خورشیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
In this paper, a model taking into account the effects of carrier loss mechanisms has been developed. The model simulates the photovoltaic properties of the graphene/n-type silicon Schottky barrier solar cells (G/n-Si_SBSC), and it can reproduce the experimentally determined parameters of the G/n-Si_SBSC. To overcome the low efficiencies of G/n-Si_SBSC, their performances have been optimized by modifying the work function of graphene and Si properties, accounted for variation of its thickness and doping level. The obtained results show that the work function of graphene has the major impact on the device performance. Also, the temperature dependence of the G/n-Si_SBSC performance is investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 35, July 2015, Pages 181–188
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 35, July 2015, Pages 181–188
نویسندگان
Zahra Arefinia, Asghar Asgari,