کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729058 | 1461439 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diffusion profiles of low dosages chromium ions implanted into (1Â 0Â 0) crystalline silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Chromium ions with low dosages (1Ã1012 and 1Ã1013 cmâ2) are implanted into silicon (1 0 0) crystalline substrates. Thermal anneals were carried out at different temperatures between 300 and 1000 °C to study the effects of ion implantation dose on the Cr diffusion profiles. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) has been used to characterize the profiles of the Cr impurities. At 1Ã1012 cmâ2 dosage and 500 °C anneal, the diffusivity of Cr in Silicon is determined to be 1.0Ã10â14 cm2 sâ1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1â3, FebruaryâJune 2006, Pages 62-65
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1â3, FebruaryâJune 2006, Pages 62-65
نویسندگان
F. Salman, P. Zhang, L. Chow, F.A. Stevie,