کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
729058 1461439 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diffusion profiles of low dosages chromium ions implanted into (1 0 0) crystalline silicon
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Diffusion profiles of low dosages chromium ions implanted into (1 0 0) crystalline silicon
چکیده انگلیسی
Chromium ions with low dosages (1×1012 and 1×1013 cm−2) are implanted into silicon (1 0 0) crystalline substrates. Thermal anneals were carried out at different temperatures between 300 and 1000 °C to study the effects of ion implantation dose on the Cr diffusion profiles. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) has been used to characterize the profiles of the Cr impurities. At 1×1012 cm−2 dosage and 500 °C anneal, the diffusivity of Cr in Silicon is determined to be 1.0×10−14 cm2 s−1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 62-65
نویسندگان
, , , ,