کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729300 | 1461417 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measure the barrier height of manganite p–n heterojunction by activation energy measurement
ترجمه فارسی عنوان
اندازه گیری مانع از تنش زدایی منگنیت توسط اندازه گیری انرژی فعال سازی را اندازه گیری کنید
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
منگنیت، تناسب اندام، مانع مواجهه
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
The barrier height of the manganite based p–n heterojunction is identified from the activation energy. The La0.35Pr0.32Ca0.33MnO3/Nb-doped SrTiO3 p–n heterojunction is fabricated by the pulse laser deposition technology. The junction shows good rectifying behavior which can be well described by the Shockley equation. A satisfactorily logarithmic linear dependence of resistance on temperature is observed, and also the relation between bias and activation energy (EA) deduced from the R−1/T curves is linear. As a result, the interfacial barrier of the heterojunction is obtained by extrapolating the Bias –EA plot to Y axis, which is 0.95 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 29, January 2015, Pages 213–217
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 29, January 2015, Pages 213–217
نویسندگان
Mei Wang, Dengjing Wang, Junjie Ma, Ruwu Wang, Yunbao Li,