کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729921 | 892935 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal stability of high-k Er-silicate gate dielectric formed by interfacial reaction between Er and SiO2 films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We fabricated a high-k Er-silicate gate dielectric using interfacial reaction between Er and SiO2 films and investigated its thermal stability. The reduced capacitance with increasing annealing temperature is associated with the chemical bonding change of Er-silicate from Er-rich to Si-rich, induced by a reaction between Er-silicate and Si during thermal treatment. Further an increase in the annealing temperature (>500 °C) causes the formation of Si dangling bonds, which is responsible for an increased interface trap density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issue 4, August 2008, Pages 122-125
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issue 4, August 2008, Pages 122-125
نویسندگان
Sung-Yong Chang, Myeong-Il Jeong, S.V. Jagadeesh Chandra, Yong-Boo Lee, Hyo-Bong Hong, V. Rajagopal Reddy, Chel-Jong Choi,