کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747205 | 894505 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of interface states on sub-threshold response of III–V MOSFETs, MOS HEMTs and tunnel FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of interface states on sub-threshold response of III–V MOSFETs, MOS HEMTs and tunnel FETs Effect of interface states on sub-threshold response of III–V MOSFETs, MOS HEMTs and tunnel FETs](/preview/png/747205.png)
چکیده انگلیسی
The effect of interface states on the current–voltage characteristics in the sub-threshold region of three different types of III–V based transistor architectures has been studied using a drift–diffusion based numerical simulator. Experimentally extracted interface state density profile is included in the simulation to analyze their effect on the sub-threshold response of InGaAs based MOSFETs, MOS HEMTs and tunnel FETs. Based on the Fermi-level position at the oxide/semiconductor interface and the corresponding interface state density (Dit), the sub-threshold response for the three devices can vary, with tunnel FETs having the least sub-threshold degradation due to Dit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 12, December 2010, Pages 1665–1668
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 12, December 2010, Pages 1665–1668
نویسندگان
W.C. Kao, A. Ali, E. Hwang, S. Mookerjea, S. Datta,