کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7879588 | 1509577 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric field and temperature scaling of polarization reversal in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films
ترجمه فارسی عنوان
مقیاس درجه حرارت الکتریکی و دما از تغییر قطبش در فیلم های نازک فرولیفیک اکسید هیفنیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اکسید هفنیوم، فلوئور، تعویض دامنه، وابستگی دما، تحمل،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
HfO2-based binary lead-free ferroelectrics show promising properties for non-volatile memory applications, providing that their polarization reversal behavior is fully understood. In this work, temperature-dependent polarization hysteresis measured over a wide applied field range has been investigated for Si-doped HfO2 ferroelectric thin films. Our study indicates that in the low and medium electric field regimes (EÂ <Â twofold coercive field, 2Ec), the reversal process is dominated by the thermal activation on domain wall motion and domain nucleation; while in the high-field regime (EÂ >Â 2Ec), a non-equilibrium nucleation-limited-switching mechanism dominates the reversal process. The optimum field for ferroelectric random access memory (FeRAM) applications was determined to be around 2.0Â MV/cm, which translates into a 2.0Â V potential applied across the 10Â nm thick films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 99, 15 October 2015, Pages 240-246
Journal: Acta Materialia - Volume 99, 15 October 2015, Pages 240-246
نویسندگان
Dayu Zhou, Yan Guan, Melvin M. Vopson, Jin Xu, Hailong Liang, Fei Cao, Xianlin Dong, Johannes Mueller, Tony Schenk, Uwe Schroeder,