Curvature effects on the electronic and transport properties of semiconductor films

در محدوده جرم مؤثر، اثرات انحنایی را بر خواص الکترونیک و حمل و نقل فیلم های نیمه هادی بررسی می کنیم. ما بررسی می کنیم که چگونه بالقوه ناشی از هندسه به طور انحصاری از موج های دوره ای در فیلم موجب انحلال الکترونیکی و یک ساختار باند فوق العاده می شود. برای پارامترهای انحنای ثابت، چنین محصور می تواند به راحتی توسط یک میدان الکتریکی خارجی تنظیم شود، از این رو ویژگی های ساختار باند فوق العاده بتنی مانند شکاف های انرژی و انحنای باند می تواند با یک پارامتر خارجی کنترل شود. ما همچنین نشان می دهیم که برای برخی مقادیر منحنی و میدان الکتریکی، می توان باند های بی رویه دیارک را برای ساختار منحنی صاف بدست آورد. علاوه بر این، ما از یک روش انتشار موج بسته استفاده می کنیم تا نشان دهد که موجها مسئول انتقال معینی بین فرعی دوبعدی هستند، مخصوصا برای مقادیر متوسط ​​ارتفاع موج.