کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7934559 | 1512892 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of high quality GaN nanowires by using Ga/GaCl3 sources
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth of high quality GaN nanowires by using Ga/GaCl3 sources Growth of high quality GaN nanowires by using Ga/GaCl3 sources](/preview/png/7934559.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 57, March 2014, Pages 145-148
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 57, March 2014, Pages 145-148
نویسندگان
Mingkun Ren, Hui Huang, Haibo Wu, Danna Zhao, Huichao Zhu, Yan Liu, Baojuan Sun,