| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 7938636 | 1513181 | 2018 | 21 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
216C-V curves and DLTS spectra for HfO2 capacitors before and after γ-ray irradiation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 120, August 2018, Pages 313-318
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 120, August 2018, Pages 313-318
نویسندگان
Yun Li, Yao Ma, Wei Lin, Peng Dong, Zhimei Yang, Min Gong, Jinshun Bi, Bo Li, Kai Xi, Gaobo Xu,