کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7940043 | 1513190 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
320Â ÃÂ 256 high operating temperature mid-infrared focal plane arrays based on type-II InAs/GaSb superlattice
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
320 Ã 256 mid-infrared focal plane arrays, together with linear arrays and single element devices, were fabricated based on type-II InAs/GaSb superlattice. At 77 K, the diode shows 50% cut-off wavelength of 4.8 μm and peak quantum efficiency of 38% at 3.7 μm without any bias dependence. The dominant dark current mechanisms at different temperatures are identified by R0A analysis. At 160 K, R0A of 2.2 Ã 103 Ω cm2 and specific detectivity of 1.8 Ã 1011 cm Hz0.5/W are demonstrated. Infrared imaging with an integration time of 5 ms demonstrates noise equivalent temperature difference of 12.3 mK and 34.2 mK, separately at 90 K and 120 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 111, November 2017, Pages 783-788
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 111, November 2017, Pages 783-788
نویسندگان
Yaoyao Sun, Guowei Wang, Xi Han, Wei Xiang, Dongwei Jiang, Zhi Jiang, Hongyue Hao, Yuexi Lv, Chunyan Guo, Yingqiang Xu, Zhichuan Niu,