کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7940110 | 1398534 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tightly bound indirect exciton in single-layer hybrid organic-inorganic perovskite semiconductor
ترجمه فارسی عنوان
اکسایتون غیر مستقیم در نیمه هادی پرآوکسیتی آلی و معدنی هیبرید تک لایه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We theoretically study the direct and indirect excitons (IXs) in a single-layer hybrid organic-inorganic perovskite (HOIP) semiconductor. Due to the 2D nature, the single-layer HOIP supports the large binding energy of IXs and direct excitons over a wide range of applied electric fields, which exceed the thermal energy of room temperature. Moreover, the ground-state IX has a lower energy than that of direct exciton, which will extend the coherence and relaxation time of IXs. This is beneficial to optoelectronic applications and excitonic information processing devices of IXs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 110, October 2017, Pages 108-113
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 110, October 2017, Pages 108-113
نویسندگان
Jing Li, Tao Liu, Timothy C.H. Liew,