کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7941491 | 1513201 | 2016 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual layer ZnO configuration over nanostructured porous silicon substrate for enhanced memristive switching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The performance of memristive devices has been investigated as a function of annealing temperature of zinc oxide (ZnO) thin films over porous silicon (PSi) in dual layer configuration. Electrical characterization demonstrates that nanostructured PSi substrate as well as ZnO layer configuration contributes effectively to an enhancement of the memristive ratio by a factor of 8. The effect of single and differently annealed double layer configuration of ZnO-PS produces continuous and abrupt switching respectively. Endurance test reveals a decrease in the switching ratio with an increase in the step size.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 100, December 2016, Pages 89-96
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 100, December 2016, Pages 89-96
نویسندگان
Lizeth MartÃnez, David Becerra, Vivechana Agarwal,