کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7941955 1513203 2016 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of veritcal graded channel doping in nanoscale fully-depleted SOI-MOSFET
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Investigation of veritcal graded channel doping in nanoscale fully-depleted SOI-MOSFET
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 98, October 2016, Pages 359-370
نویسندگان
, ,