کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7942024 | 1513213 | 2015 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rapid thermal annealing: An efficient method to improve the electrical properties of tellurium compensated Interfacial Misfit GaSb/GaAs heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of thermal annealing on Te compensated Interfacial Misfit GaSb/GaAs heterostructures is investigated by using two different thermal annealing procedures, namely rapid thermal annealing and furnace annealing. The electrical properties of the devices are studied by using Current-Voltage, Capacitance-Voltage and Deep Level Transient Spectroscopy techniques. It is observed that rapid thermal annealing treatment is superior in terms of improvement of the electrical characteristics compared to furnace annealing treatment. The lowest leakage current and defect concentration are obtained when rapid thermal annealing is employed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 88, December 2015, Pages 80-89
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 88, December 2015, Pages 80-89
نویسندگان
Mohsin Aziz, Jorlandio F. Felix, Dler Jameel, Noor Al Saqri, Faisal S. Al Mashary, Haifaa M. Alghamdi, Hind M.A. Albalawi, David Taylor, Mohamed Henini,