کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7942097 1513213 2015 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Threshold voltage model of junctionless cylindrical surrounding gate MOSFETs including fringing field effects
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Threshold voltage model of junctionless cylindrical surrounding gate MOSFETs including fringing field effects
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 88, December 2015, Pages 188-197
نویسندگان
,