کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7943274 1513241 2013 13 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance assessment of gate material engineered AlInN/GaN underlap DG MOSFET for enhanced carrier transport efficiency
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Performance assessment of gate material engineered AlInN/GaN underlap DG MOSFET for enhanced carrier transport efficiency
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 60, August 2013, Pages 10-22
نویسندگان
, , , , ,