کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7943578 | 1513241 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel 4H-SiC MESFET with recessed gate and channel
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A novel 4H-SiC MESFET with recessed gate and channel A novel 4H-SiC MESFET with recessed gate and channel](/preview/png/7943578.png)
چکیده انگلیسی
Moreover, source side recessed gate and drain side recessed channel (SG-DC) structure has higher gm and output resistance in comparison with the conventional structure. Drain side recessed gate and source side recessed channel (DG-SC) structure has larger breakdown voltage and drain current than those of the conventional structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 60, August 2013, Pages 516-523
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 60, August 2013, Pages 516-523
نویسندگان
S.M. Razavi, S.H. Zahiri, S.E. Hosseini,