کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
81262 | 49448 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modelization of epitaxial GaAs X-ray detectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modelization of epitaxial GaAs X-ray detectors Modelization of epitaxial GaAs X-ray detectors](/preview/png/81262.png)
چکیده انگلیسی
X-ray detectors are fabricated with non-intentionally doped thick epitaxial GaAs layers grown by a chemical technique. They are p+/i/n+ structures in which the highly doped p- and n-type layers are made by ion implantation on both faces of the i epilayers. In order to understand the behaviour of charge collection, we modelize the capacitance–voltage characteristics of such structures, which are then compared with experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issue 10, 15 June 2006, Pages 1498–1503
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issue 10, 15 June 2006, Pages 1498–1503
نویسندگان
N. Mañez, G.C. Sun, M. Ben Chouikha, C. Algani, G. Alquié, C. Verdeil, N. Talbi, K. Khirouni, J.C. Bourgoin,