کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149723 | 1524404 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-temperature growth of InGaN films over the entire composition range by MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low-temperature growth of InGaN films over the entire composition range by MBE Low-temperature growth of InGaN films over the entire composition range by MBE](/preview/png/8149723.png)
چکیده انگلیسی
The surface morphology, microstructural, and optical properties of indium gallium nitride (InGaN) films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy under low growth temperatures and slightly nitrogen-rich growth conditions are studied. The single-phase InGaN films exhibit improved defect density, an absence of stacking faults, efficient In incorporation, enhanced optical properties, but a grain-like morphology. With increasing In content, we observe an increase in the degree of relaxation and a complete misfit strain relaxation through the formation of a uniform array of misfit dislocations at the InGaN/GaN interface for InGaN films with indium contents higher than 55-60%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 115-118
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 115-118
نویسندگان
Chloe A.M. Fabien, Brendan P. Gunning, W. Alan Doolittle, Alec M. Fischer, Yong O. Wei, Hongen Xie, Fernando A. Ponce,