کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149741 | 1524404 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High growth speed of gallium nitride using ENABLE-MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Films of gallium nitride were grown at varying growth speeds, while all other major variables were held constant. Films grown determine the material impact of the high flux capabilities of the unique nitrogen plasma source ENABLE. Growth rates ranged from 13 to near 60 nm/min. X-ray Ï scans of GaN (0002) have FWHM in all samples less than 300 arc sec. Cathodoluminescence shows radiative recombination for all samples at the band edge. In general material quality overall is high with slight degradation as growth speeds increase to higher rates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 129-132
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 129-132
نویسندگان
J.J. Williams, A.M. Fischer, T.L. Williamson, S. Gangam, N.N. Faleev, M.A. Hoffbauer, C.B. Honsberg,