کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150760 | 1524426 | 2014 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
HVPE-GaN growth on misoriented ammonothermal GaN seeds
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results of the Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) on ammonothermal GaN seeds (Am-GaN) with various misorientations: 0.3, 0.5 and 1 degree to the [1Â 0Â â1Â 0] and [1Â 1Â â2Â 0] directions are presented. Growth rate and structural quality of the HVPE-GaN layers are analyzed. Morphology of the crystal growing surface at the beginning of the crystallization process (after one and two hours of growth) and at the end of it (after eight hours) is presented as a function of the Am-GaN seed misorientation. Based on these results a rough growth model is proposed and discussed in detail.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 403, 1 October 2014, Pages 32-37
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 403, 1 October 2014, Pages 32-37
نویسندگان
T. Sochacki, M. Amilusik, B. Lucznik, M. Fijalkowski, J.L. Weyher, G. Nowak, B. Sadovyi, G. Kamler, R. Kucharski, M. Iwinska, I. Grzegory, M. Bockowski,