کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151189 | 1524436 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of MOCVD-diffused p-InP for planar avalanche photodiodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Diffusion - A1. رادیو و تلویزیونA3. Organometallic vapor phase epitaxy - A3 اپیتاکسی فاز بخار آلومینیومA3. Metalorganic vapor phase epitaxy - A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزیA3. Metalorganic chemical vapor deposition - A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزاتB1. Phosphides - B1 فسفید هاB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the materials properties and dark currents of planar InP/InGaAs avalanche photodiodes (APDs) in which the p-dopant, Zn, is introduced by diffusion in an MOCVD reactor using dimethylzinc (DMZn) as the source. APD dark currents are compared with low-temperature photoluminescence (PL), electrochemical capacitance-voltage (ECV) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements of layers diffused under the same set of conditions. Device dark currents exhibit both surface-related and bulk contributions, with the bulk contribution appearing as a step increase in the current near the punch-through voltage. The bulk dark current contribution depends on the diffusion process parameters and is correlated with the total Zn incorporation and the intensities of the InP and InGaAs PL peaks. A variation of three orders of magnitude is observed in the bulk dark current contribution as diffusion conditions are varied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 85-88
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 85-88
نویسندگان
O.J. Pitts, M. Hisko, W. Benyon, S. Raymond, A.J. SpringThorpe,