کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151389 | 1524441 | 2014 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Onset of plastic relaxation in semipolar (112¯2) InxGa1âxN/GaN heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The onset of plastic relaxation via misfit dislocation (MD) formation in InxGa1âxN layers grown by metal-organic chemical vapor deposition on the (112¯2) semipolar plane of GaN substrates is investigated using high-resolution X-ray diffraction, transmission electron microscopy and cathodoluminescence. The results of critical thickness calculations for MD formation as a function of InxGa1âxN alloy composition x are compared with experimental observations. MD generation is observed initially as a result of slip on the (0001) slip plane, and subsequently as a result of additional slip on inclined {11¯00}-typem-planes, which eventually leads to an increase in threading dislocation density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 388, 15 February 2014, Pages 48-53
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 388, 15 February 2014, Pages 48-53
نویسندگان
Ingrid L. Koslow, Matthew T. Hardy, Po Shan Hsu, Feng Wu, Alexey E. Romanov, Erin C. Young, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars, James S. Speck,