کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8152332 | 1524474 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multicycle rapid thermal annealing technique and its application for the electrical activation of Mg implanted in GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
No reliable results were reported up-to-date on electrical activation of Mg implanted GaN without co-doping with other ions. The main reason of the poor ion-implanted activation in GaN is lack of the adequate GaN annealing technique. We have developed a new approach, Multicycle Rapid Thermal Annealing to overcome this limitation and enable longer annealing times at high temperature. We have applied this new technique to Mg-implanted GaN, and demonstrated p-type conductivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 350, Issue 1, 1 July 2012, Pages 21-26
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 350, Issue 1, 1 July 2012, Pages 21-26
نویسندگان
B.N. Feigelson, T.J. Anderson, M. Abraham, J.A. Freitas, J.K. Hite, C.R. Eddy, F.J. Kub,