کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9586309 | 1505938 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the barrier thickness on the photoluminescence properties of amorphous Si/SiO multilayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Amorphous Si/SiO multilayers have been prepared at 100 °C by successive evaporations of pure silicon and a silicon oxide powder. The silicon thickness is equal to 6 Ã
and the influence of the barrier thickness is investigated. Photoluminescence in the visible range was observed at room temperature for a barrier thickness greater or equal to 16Â Ã
. Two contributions at 550 and 750Â nm are distinguishable. The band at 550Â nm is attributed to the silicon oxide layer whereas the photoluminescence at 750Â nm is attributed to three dimensionally confined amorphous silicon clusters, which originates from the discontinuity of the amorphous silicon layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 113, Issues 1â2, May 2005, Pages 64-68
Journal: Journal of Luminescence - Volume 113, Issues 1â2, May 2005, Pages 64-68
نویسندگان
H. Rinnert, M. Vergnat,