کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670545 | 1450404 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determining the impact of statistical fluctuations on resist line edge roughness
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Line edge roughness of chemically amplified resists depends on many parameters. In a practical situation, all settings are chosen to be at their optimum, giving the smallest LER. Starting from this situation, the trade-off between four important parameters (shot noise, secondary electron drift, resist polymer size and post-exposure bake diffusion), is investigated in this paper.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 78â79, March 2005, Pages 2-10
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 78â79, March 2005, Pages 2-10
نویسندگان
L.H.A. Leunissen, M. Ercken, G.P. Patsis,