کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9699125 1461440 2005 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1−xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1−xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications
چکیده انگلیسی
The selective growth of Si1−xGex structures (0.09
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1–3, February–June 2005, Pages 25-30
نویسندگان
, , , , ,