کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699184 | 1461440 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
pMOSFETs with recessed and selectively regrown Si1âxGex source/drain junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: pMOSFETs with recessed and selectively regrown Si1âxGex source/drain junctions pMOSFETs with recessed and selectively regrown Si1âxGex source/drain junctions](/preview/png/9699184.png)
چکیده انگلیسی
A new source/drain formation concept based on selective Si etching followed by selective regrowth of in situ B-doped Si1âxGexis presented. Both process steps are performed in the same reactor to preserve the gate oxide. Well-behaved transistors are demonstrated with a negligibly low gate-to-substrate leakage current.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 359-362
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 359-362
نویسندگان
Christian Isheden, Per-Erik Hellström, Martin von Haartman, Henry H. Radamson, Mikael Ãstling,