کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9789732 | 1512915 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence properties of impurity-doped ZnS nanocrystals fabricated by sequential ion implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have studied photoluminescence (PL) spectrum and dynamics of Cu- and Al-doped ZnS (ZnS:Cu,Al) nanocrystals fabricated by sequential implantation of Zn+, S+, Cu+, and Al+ ions into Al2O3 matrices. These samples exhibit intense green PL under UV light excitation. The space- and time-resolved PL measurements show that the broad green PL is due to the donor-acceptor (DA) pair luminescence of single ZnS:Cu,Al nanocrystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 26, Issues 1â4, February 2005, Pages 24-27
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 26, Issues 1â4, February 2005, Pages 24-27
نویسندگان
A. Ishizumi, C.W. White, Y. Kanemitsu,