کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9789742 | 1512915 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled positioning of self-assembled InAs quantum dots on (1Â 1Â 0) GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on a new approach for positioning of self-assembled InAs quantum dots on (1Â 1Â 0) GaAs with nanometer precision. By combining self-assembly of quantum dots with molecular beam epitaxy on in situ cleaved surfaces (cleaved-edge overgrowth) we have successfully fabricated arrays of long-range ordered InAs quantum dots. Both atomic force microscopy and micro-photoluminescence measurements demonstrate the ability to control position and ordering of the quantum dots with epitaxial precision as well as size and size homogeneity. Furthermore, photoluminescence investigations on dot ensembles and on single dots confirm the high homogeneity and the excellent optical quality of the quantum dots fabricated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 26, Issues 1â4, February 2005, Pages 72-76
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 26, Issues 1â4, February 2005, Pages 72-76
نویسندگان
D. Schuh, J. Bauer, E. Uccelli, R. Schulz, A. Kress, F. Hofbauer, J.J. Finley, G. Abstreiter,