کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9789813 | 1512915 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Carrier capture and relaxation of self-assembled ZnTe/ZnSe quantum dots prepared under Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The carrier capture and relaxation of type II ZnTe/ZnSe quantum dots have been investigated with ultrafast time-resolved photoluminescence upconversion. The carrier capture times were 7 and 38Â ps for the Volmer-Weber mode and Stranski-Krastanow mode, respectively. We found that the carrier relaxation of QDs exhibits faster decay under the Volmer-Weber growth mode than under the Stranski-Krastanow growth mode. We attribute the difference of carrier relaxation to the wetting layer formed in the Stranski-Krastanow growth mode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 26, Issues 1â4, February 2005, Pages 422-426
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 26, Issues 1â4, February 2005, Pages 422-426
نویسندگان
M.-E. Lee, Y.-C. Yeh, Y.-H. Chung, C.-L. Wu, C.-S. Yang, W.-C. Chou, C.-T. Kuo, D.-J. Jang,