کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829561 | 1524494 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of C/Si ratio in fast epitaxial growth of 4H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) by vertical hot-wall chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The C/Si ratio dependence of growth rate, surface morphology, micropipe closing ratio, doping concentration and deep-level concentration have been investigated in fast epitaxial growth of 4H-SiC (0 0 0 1) epilayers by chemical vapor deposition in a vertical hot-wall reactor. The doping, Z1/2 and EH6/7 centers concentrations of thick epilayers decrease with increasing C/Si ratio of source gases. By adjusting the C/Si ratio at 0.7, specular surface morphology with a low doping concentration of 1Ã1013 cmâ3 has been obtained at a growth rate of 33 μm/h, and the concentrations of Z1/2 and EH6/7 centers have been kept low, 8Ã1012 and 4Ã1012 cmâ3, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 281, Issues 2â4, 1 August 2005, Pages 370-376
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 281, Issues 2â4, 1 August 2005, Pages 370-376
نویسندگان
H. Fujiwara, K. Danno, T. Kimoto, T. Tojo, H. Matsunami,