کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9829798 1524499 2005 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy, photoluminescence and lasing of GaAs/GaSbAs QD nanostructures
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Molecular beam epitaxy, photoluminescence and lasing of GaAs/GaSbAs QD nanostructures
چکیده انگلیسی
We report on molecular beam epitaxy (MBE) growth and luminescence properties of tensile-strained type-II GaAs/GaSb1−xAsx (0
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1–4, 1 May 2005, Pages 119-124
نویسندگان
, , , , , , , ,