| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 9829798 | 1524499 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy, photoluminescence and lasing of GaAs/GaSbAs QD nanostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on molecular beam epitaxy (MBE) growth and luminescence properties of tensile-strained type-II GaAs/GaSb1âxAsx (0
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 119-124
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 119-124
نویسندگان
B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, O.G. Lyublinskaya, A.A. Toropov, Ya.V. Terent'ev, A.N. Semenov, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov,