کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829811 | 1524499 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of dilute GaNSb by plasma-assisted MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
81.05.Ea73.61.Ey72.80.Ey - 72.80.یییییA1. X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکسA1. Doping - A1. تغلیظA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. Antimonides - B1 آنتیبادیدهاB2. Semiconducting gallium compounds - B2 ترکیبات گالیم نیمه هادیB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE), GaNxSb1âx films have been grown onto GaSb and GaAs substrates over a range of growth temperatures (310-460 °C). The films showed excellent crystalline quality and a nitrogen incorporation of 0-1.75% measured by X-ray diffraction. These materials should enable access to wavelengths in the 2-4 μm range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 188-192
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 188-192
نویسندگان
L. Buckle, B.R. Bennett, S. Jollands, T.D. Veal, N.R. Wilson, B.N. Murdin, C.F. McConville, T. Ashley,