کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829844 | 1524499 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Conductive and crack-free AlN/GaN:Si distributed Bragg reflectors grown on 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present n-type AlN/GaN:Si distributed Bragg reflectors grown on 6H-SiC(0 0 0 1) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The structures are free of cracks and exhibit a stopband centered around 450 nm with a FWHM between 40 and 50 nm. The measured reflectance is ⩾99%. A comparison between Si-doped and undoped structures shows no degradation of the reflectance due to the Si-doping. Vertical conductance measurements performed at room temperature on the samples show ohmic I-V behavior in the entire measurement range. The resistivity at 77 K is only two times larger than the resistivity at room temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 355-360
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 355-360
نویسندگان
T. Ive, O. Brandt, K.H. Ploog,