کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829863 | 1524499 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comparison between GaAs and AlAs deposition on patterned substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of GaAs, AlAs and AlAs/GaAs multilayers on GaAs (0Â 0Â 1) patterned substrates has been used as a probe of the group III adatom kinetics during molecular beam epitaxy. The deposition of GaAs and AlAs films on patterned substrates is significantly different due to modification of the inter-planar adatom migration and surface diffusion. This behaviour results in contrasting growth modes and different final ridge morphologies for the alternative deposition series. It also provides a route to either tune the final ridge profile or to produce alternative ridge structure geometries for novel device applications, from the deposition of AlAs, GaAs or multilayer structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 458-463
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 458-463
نویسندگان
R.S. Williams, M.J. Ashwin, T.S. Jones, J.H. Neave,