کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9953813 | 1524330 | 2018 | 23 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Efficient iron doping of HVPE GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thick freestanding iron-doped semi-insulating GaN layers were grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on GaN/sapphire templates. Iron doping was achieved by using Fe57-enriched Fe2O3 reduced to elemental Fe in-situ avoiding uptake of C from organometallic sources. The morphology and crystalline quality of the films show no evidence of degradation upon iron doping. Mössbauer and spin resonance experiments demonstrate that the Fe-impurity is in the isolated Fe3+ paramagnetic state and no Fe-precipitates are formed at the highest doping levels. Low temperature photoluminescence studies are consistent with full compensation of the shallow pervasive Si and O donors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 500, 15 October 2018, Pages 111-116
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 500, 15 October 2018, Pages 111-116
نویسندگان
J.A. Jr., J.C. Culbertson, E.R. Glaser, E. Richter, M. Weyers, A.C. Oliveira, V.K. Garg,