دانلود مقالات ISI درباره A1 عیوب + ترجمه فارسی

Transient wafer deflection in Si epitaxy

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Carbon-doped GaAs and InGaAs grown by solid source molecular beam epitaxy and effect of III/V ratio on their properties

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Vv; 61.72.Ji; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of the nucleation layer morphology and epilayer structure on the resistivity of GaN films grown on c-plane sapphire by MOCVD

Keywords: A1 عیوب; 81.15.G; 71.55.E; 61.72.M; 81.65.C; 81.05.E; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InAs quantum dots grown on InGaAs buffer layers by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A1 عیوب; 68.65.+g; 81.15.Gh; 68.55.Jk; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Nanostructures; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Deep level defect luminescence in cadmium selenide nano-crystals films

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapour; B1. Cadmium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Site selective nucleation on surfaces: the rate equation model compared with VT-STM experiment of Co on Au(7 8 8)

Keywords: A1 عیوب; 68.55.-a; 68.47.De; 82.20.Wt; 68.37.Ef; 81.07.-b; 81.16.Dn; A1. Defects; A1. Diffusion; A1. Growth model; A1. Nanostructures; B1. Metal;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Process-induced transfer pattern in Si epitaxy using pocket susceptor

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Identification of donors, acceptors, and traps in bulk-like HVPE GaN

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Ji; 61.72.Lk; 68.55.Ce; 71.55.Eq; 72.20.Fr; A1. Defects; A1. Impurities; A1. Line defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Defects in GaN single crystals and homoepitaxial structures

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 عیوب; 61.30.Hn; 68.55.Ln; 68.37.Lp; 68.37.Ps; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Tellurites; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of 4-in diameter near-stoichiometric lithium tantalate single crystals

Keywords: A1 عیوب; 81.10.−h; 42.70.Mp; 77.84.S; 61.50.Nw; 78.20.Ci; A1. Defects; A1. Stoichiometry; B1. Lithium tantalate; B2. Domain inversion; B2. Refractive indices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation on small growth pits in 4H silicon carbide epilayers

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Growth pits; A1. Surface defects; B1. Silicon carbide; B1. SiC epilayer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Some observations on the growth of rutile single crystals using the optical floating zone method

Keywords: A1 عیوب; 81.10.Fq; A1. Defects; A1. Rutile crystal; A2. Floating zone technique; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of hydrogenation on the electrical and optical properties of CdZnTe substrates and HgCdTe epitaxial layers

Keywords: A1 عیوب; 61.72J; 78.55E; 81.65R; A1. Defects; A1. Hydrogenation; A3. Epitaxy; B2. CdZnTe; B2. HgCdTe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD

Keywords: A1 عیوب; 68.55; 81.15; 61.72; 78.55; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Nucleation; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Susceptor honing and contact stress in Si epitaxy

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Microscopic contact and slip in Si epitaxy

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Dislocation; B2. Semiconductor silicon; B2. Slip;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Diffraction based characterization of a directionally solidified Cu-Cr eutectic alloy

Keywords: A1 عیوب; 61.72.F; 61.72.Ff; 61.12.−q; A1. Defects; A1. Interfaces; A1. Directional solidification; A1. Eutectics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study of ZnO crystals and Zn1−xMxO (M=Co, Mn) epilayers grown by pulsed laser deposition on ZnO(00.1¯) substrate

Keywords: A1 عیوب; 61.10.−i; 61.72.Ff; 68.55.−a; 75.50.Dd; 81.15.Fg; A1. Defects; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A3. Pulsed laser deposition; B1. Zinc oxide; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of thick GaN layers with hydride vapour phase epitaxy

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 81.40.Wx; 68.55.−a: 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Computer simulation; A1. Defects; A3. Chloride vapour phase deposition; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The agglomeration dynamics of self-interstitials in growing Czochralski silicon crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Microdefects; A2. Czhochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه