دانلود مقالات ISI درباره A1 عیوب + ترجمه فارسی

Laser ablation condensation of defective Si4+-doped chromium oxide nanocrystals

Keywords: A1 عیوب; 61.14.−x; 64.70.Dv; 64.60.Qb; 05.40.Jc; 61.46.Df; 81.05.−t; A1. Crystallites; A1. Defects; A1. Growth models; A2. Laser-heated pedestal growth; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of microstructure and defects in epitaxial ZnO (112¯0) films on Al2O3(11¯02) substrates by transmission electron microscopy

Keywords: A1 عیوب; 68.37.Lp; 78.66.Hf; 61.72.Ff; 61.72.Nn; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of two-step growth process on structural, optical and electrical properties of MOVPE-grown GaP/Si

Keywords: A1 عیوب; 78.40.Fy; 78.55.−m; 81.15.Gh; 85.30.FgA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Doping; A3. Metal organic vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Study of triangular defects and inverted pyramids in 4H-SiC 4° off-cut (0 0 0 1) Si face epilayers

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 81.10.Aj; 81.10.Bk; 81.05.Hd; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Impact of the H2 bake temperature on the structural properties of tensily strained Si layers on SiGe

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 61.72.Hf; 68.37.Ps; 68.55.JkA1. Surface structure; A1. Defects; A1. Interfaces; A3. Chemical vapour deposition processes; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Study on twin stacking faults in vaterite tablets of freshwater lacklustre pearls

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Nn; 64.60.My; 83.80.LzA1. Biomaterials; A1. Defects; A1. Twin stacking faults; A2. Natural crystal growth; B1. Lacklustre pearl; B1. Vaterite tablet

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of MgO in ZnO films grown on nitrided sapphires

Keywords: A1 عیوب; 81.05.Dz; 68.37.Lp; 68.55.−a; 81.15.HiA1. Characterization; A1. Defects; A1. Interfaces; A2. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN

Keywords: A1 عیوب; 78.47.+p; 81.05.Ea; 72.20.JvA1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystalline perfection of GaN and AlN epitaxial layers and the main features of structural transformation of crystalline defects

Keywords: A1 عیوب; 61.10.Nz; 61.72.Dd; 68.55.−aA1. Characterization; A1. Defects; A1. High-resolution X-ray diffraction; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoelectric properties of highly excited GaN:Fe epilayers, grown by modulation- and continuous-doping techniques

Keywords: A1 عیوب; 73.61.Ey; 81.15.Gh; 72.20−i; 61.72.y; A1. characterization; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation of surface defect structure originating in dislocations in AlGaN/GaN epitaxial layer grown on a Si substrate

Keywords: A1 عیوب; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 61.72.FfA1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. AlGaN; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Lowered stimulated emission threshold of zinc oxide by hydrogen doping with pulsed argon-hydrogen plasma

Keywords: A1 عیوب; 81.05.Dz; 68.55.Ln; 78.45.−h; 78.55.Et; A1. Doping; A1. Defects; B1. Oxide; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-quality heteroepitaxial Ge growth on nano-patterned Si templates using diblock copolymer patterning

Keywords: A1 عیوب; 68.55.Ac; 81.15.Hi; 81.16.RfA1. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of the crystal–melt interface on the grown-in defects in silicon CZ growth

Keywords: A1 عیوب; 81.05.Cy; 81.10.FyA1. Convection; A1. Defects; A1. Interface shape; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of thermal annealing ambient on Ga-doped ZnO thin films

Keywords: A1 عیوب; 68.55.Ln; 73.61.Ga; 79.60.−iA1. Adsorption; A1. Defects; A1. Desorption; A1. Doping; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reduction of defects propagating into 3C-SiC homoepilayers by reactive ion etching of 3C-SiC heteroepilayer substrates

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Mm; 61.72.Qq; 81.05.Je; 81.10.Aj; 81.15.GhAl. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Solid mechanics and material strength studies on the melt growth of bulk single crystals

Keywords: A1 عیوب; 02.70.Dh; 61.72.−y; 62.20.MkA1. Computer simulation; A1. Defects; A1. Stresses; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoluminescence study of the 1.3–1.55 eV defect band in CdTe

Keywords: A1 عیوب; 78.55.PtA1. Characterization; A1. Defects; A1. Photoluminescence; A1. Substrates; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of tetragonal lysozyme crystals from solutions containing NaCl, CsCl and NaNO3

Keywords: A1 عیوب; 61.72.−y; 61.72.Ff; 68.37.−d; 81.10.−h; 81.10.Dn; 87.14.Ee; 87.15.Nn; 87.64.RrA1. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Impurities; A1. Optical microscopy; B1. Biological macromolecules; B1. Lysozyme; B1. Proteins

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Orthodox etching of HVPE-grown GaN

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Wet KOH etching of freestanding AlN single crystals

Keywords: A1 عیوب; 81.65.Cf; 81.05.Ea; 61.72.Ff; 61.72.LkA1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Defects in a mixed-habit Yakutian diamond: Studies by optical and cathodoluminescence microscopy, infrared absorption, Raman scattering and photoluminescence spectroscopy

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Ff; 61.72.Ji; 61.72.Ss; 78.20.Fm; 78.30.Am; 78.55.Hx; 78.60.HkA1. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Impurities; A1. Optical microscopy; A2. Natural crystal growth; B1. Diamond

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth kinetics and crystallographic properties of polysilicon thin films formed by aluminium-induced crystallization

Keywords: A1 عیوب; 81.10.Jt; 68.55.Jk; 61.72.MmA1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Solid-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Defect dynamics in the presence of oxygen in growing Czochralski silicon crystals

Keywords: A1 عیوب; 81.10.Fq; 81.10.Aj; 81.05.Hd; A1. Defects; A1. Microdefects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A2. Czhochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Laser ablation condensation and phase change of Ni1−xCoxO nanoparticles

Keywords: A1 عیوب; 61.14.−x; 64.70.Dv; 64.60.Qb; 05.40.Jc; 61.46.Df; 81.05.−tA1. Crystallites; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Nucleation; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

In situ observations in the melt growth of Pb5Ge3O11 crystals

Keywords: A1 عیوب; 81.10; 61.72; A1. Defects; A1. Mass transfer; A1. Growth models;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Ab initio study of ZnO- and GaN-based diluted magnetic semiconductors and its magnetic properties

Keywords: A1 عیوب; 71.15.Ap; 71.55.Gs; 75.50.Pp; A1. Defects; A1. Magnetism; B1. ZnO; B3. Diluted magnetic semiconductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Progress in epitaxial deposition on low-cost substrates for thin-film crystalline silicon solar cells at IMEC

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Avoidance of surface-related defects in MOVPE-grown InGaP layers

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 73.40.Kp; 73.61.Ey; 71.55.Eq; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of hydrogen on the properties of SiC crystals grown by physical vapor transport: Thermodynamic considerations and experimental results

Keywords: A1 عیوب; 81.05.Bx; 81.10.BkA1. Characterization; A1. Defects; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dielectric spectrum of rare-earth-doped calcium fluoride crystals

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Ji; 77.22.Gm; 78.20.Ci; 81.10.F2; A1. Defects; A1. Impurities; A2. Bridgman technique; B1. Calcium compounds; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of external field on bond energy and activation barrier for surface diffusion

Keywords: A1 عیوب; 73.61.Ey; 71.20.NrA1. Diffusion; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Codoping in ZnO using GaN by pulsed laser deposition

Keywords: A1 عیوب; 71.55.Gs, 73.61.Ga, 78.66.Hf; A1. Codoping; A1. Defects; A1. Characterisation; A3. Pulsed laser deposition; B1. Gallium nitride; B1. Zinc oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thermal treatment of detector-grade CdZnTe

Keywords: A1 عیوب; 78.30.Fs; 81.40.Ef; A1. Defects; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Some reasons for the formation of grain boundaries and melt inclusions in growing large BBO crystals by TSSG technique

Keywords: A1 عیوب; 42.70.Mp; 61.72; 81.10.Aj; 81.10.DnA1. Crystal morphology; A1. Defects; A2. Growth from high temperature solutions; B1. Borates; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and characterization of ferromagnetic shape memory alloy Co50Ni20FeGa29 single crystals

Keywords: A1 عیوب; 75.50.Cc; 81.10.Aj; 61.72.Hh; 68.18.Jk; 68.35.Gy; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Czochralski method; B2. Ferromagnetic shape memory alloys; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Twinning defects in spherical GeSi alloy nanocrystals

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Mm; 81.07.Ta; 68.37.LpA1. Characterization; A1. Defects; A1. Nanostructures; A1. Twinned structure; B1. Germanium silicon alloys; B1. Nanocrystalline materials; B2. Semiconducting IV materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characterization of undoped and Te-doped GaSb crystals grown by the vertical feeding method

Keywords: A1 عیوب; 81.05.Ea; 81.10.Fq; 61.72.Vv; A1. Cathodoluminescence; A1. Defects; A1. Segregation; A2. Growth from melt; A3. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and process induced dislocations in zinc oxide crystals

Keywords: A1 عیوب; 61.72.−y; 81.10.−h; 61.72.FfA1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A2. Growth from solutions; A2. Hydrothermal crystal growth; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

X-ray characterization of detached-grown germanium crystals

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Ff; 81.05.Cy; 81.10.Fq; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A2. Detached Bridgman technique; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Observation of V-shaped defects in the growth of In0.8Al0.2Sb/InSb layers: Temperature and V/III flux ratio dependences

Keywords: A1 عیوب; 72.80.Ey; 68.37.Lp; 68.35.Ct; 61.72.Mm; And 61.72.Lk; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Impurity-induced defect and its effect on protein crystal perfection

Keywords: A1 عیوب; 61.72.Ff; 71.55.Ht; 81.10.Dn; 87.14.EeA1. Biocrystallization; A1. Defects; A1. Etching; A1. Impurities; A1. X-ray Topography; B1. Lysozyme

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Energy band gap and optical properties of non-stoichiometric InN-theory and experiment

Keywords: A1 عیوب; 71.90.+q; 78.90.+t; 42.50.Nn; 78.30.Fs; A1. Absorption; A1. Defects; B1. Alloys; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Influence of an in situ-deposited SiNxSiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates

Keywords: A1 عیوب; 78.55.Cr; 81.15.Gh; 61.72.Ff; 68.35.Gy; 68.55.JkA1. Characterization; A1. Defects; A l. Dislocation; A1. Etching; B l. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

White-beam synchrotron topographic study of antiparallel 180° domains in near-stoichiometric LiNbO3 grown from Li2O-rich melt

Keywords: A1 عیوب; 61.10; 77.84; 81.05; A1. Defects; A1. X-ray topography; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study of growth defects in benzophenone crystals

Keywords: A1 عیوب; 42.70.Mp; 81.10.Fq; 61.72.Dd; A1. Defects; A1. White-beam topography; A2. Growth from undercooled melt; B1. Organic nonlinear optical crystal;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nitrogen plasma optimization for high-quality dilute nitrides

Keywords: A1 عیوب; 52.77.Dq; 81.15.Hi; 85.60.−q; A1. Defects; A1. Plasmas; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of dislocation density on photoluminescence intensity of GaN

Keywords: A1 عیوب; 81.15.Hi; 78.20.Bh; 61.72.Hh; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; A1. Defects; A1. Photoluminescence; A1. Capacitance-voltage measurement; A1. Atomic force microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

First-principles study on crystal and electronic structures of stacking-fault tetrahedra in epitaxialized Si films

Keywords: A1 عیوب; 73.21.−b; 73.22.−f; 73.40.−c; 71.55.−i; 61.72.−y; A1. Defects; A1. Line defects; A3. Chloride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Shape-tailored photoluminescent intensity of red phosphor Y2O3:Eu3+

Keywords: A1 عیوب; 78.66; 32.50; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Yttrium compounds; B2. Phosphors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه